JAN1N6620U
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| Número de pieza | JAN1N6620U |
|---|---|
| Fabricante | Microsemi Corporation |
| Descripción | DIODE GEN PURP 200V 1.2A A-MELF |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Contiene plomo / RoHS no conforme |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | Get a quote | ||||
- Parámetro del producto
Product parameter
| Número de pieza | JAN1N6620U | Fabricante | Microsemi Corporation |
|---|---|---|---|
| Descripción | DIODE GEN PURP 200V 1.2A A-MELF | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Contiene plomo / RoHS no conforme |
| cantidad disponible | 5433 pcs | Ficha de datos | |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | Tensión - inversa de pico (máxima) | Standard |
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ | 1.2A | Tensión - Desglose | D-5A |
| Serie | Military, MIL-PRF-19500/585 | Estado RoHS | Bulk |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | Fast Recovery = 200mA (Io) | Resistencia @ Si, F | - |
| Polarización | SQ-MELF, A | Otros nombres | 1086-19953 1086-19953-MIL |
| Temperatura de funcionamiento - Junction | 30ns | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Número de pieza del fabricante | JAN1N6620U |
| Descripción ampliada | Diode Standard 200V 1.2A Surface Mount D-5A | configuración de diodo | 500nA @ 200V |
| Descripción | DIODE GEN PURP 200V 1.2A A-MELF | Corriente - Fuga inversa a Vr | 1.4V @ 1.2A |
| Corriente - rectificada media (Io) (por Diode) | 200V | Capacitancia Vr, F | -65°C ~ 150°C |
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