JAN1N645-1
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| Número de pieza | JAN1N645-1 |
|---|---|
| Fabricante | Microsemi Corporation |
| Descripción | DIODE GEN PURP 225V 400MA DO35 |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Contiene plomo / RoHS no conforme |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | Get a quote | ||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | JAN1N645-1 | Fabricante | Microsemi Corporation |
|---|---|---|---|
| Descripción | DIODE GEN PURP 225V 400MA DO35 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Contiene plomo / RoHS no conforme |
| cantidad disponible | 4835 pcs | Ficha de datos | 1N645-1 |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | Tensión - inversa de pico (máxima) | Standard |
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ | 400mA | Tensión - Desglose | DO-35 |
| Serie | Military, MIL-PRF-19500/240 | Estado RoHS | Bulk |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Resistencia @ Si, F | - |
| Polarización | DO-204AH, DO-35, Axial | Otros nombres | 1086-15973 1086-15973-MIL Q9150974 |
| Tipo de montaje | Through Hole | Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante | JAN1N645-1 | Descripción ampliada | Diode Standard 225V 400mA Through Hole DO-35 |
| configuración de diodo | 50nA @ 225V | Descripción | DIODE GEN PURP 225V 400MA DO35 |
| Corriente - Fuga inversa a Vr | 1V @ 400mA | Corriente - rectificada media (Io) (por Diode) | 225V |
| Capacitancia Vr, F | -65°C ~ 175°C |
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