JAN1N5618
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| Número de pieza | JAN1N5618 |
|---|---|
| Fabricante | Microsemi Corporation |
| Descripción | DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Contiene plomo / RoHS no conforme |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 132 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $2.796 | |||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | JAN1N5618 | Fabricante | Microsemi Corporation |
|---|---|---|---|
| Descripción | DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Contiene plomo / RoHS no conforme |
| cantidad disponible | 12264 pcs | Ficha de datos | 1N5614 thru 22 |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | Tensión - inversa de pico (máxima) | Standard |
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ | 1A | Serie | Military, MIL-PRF-19500/427 |
| Estado RoHS | Bulk | Tiempo de recuperación inversa (trr) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Resistencia @ Si, F | - | Polarización | A, Axial |
| Otros nombres | 1086-2108 1086-2108-MIL |
Temperatura de funcionamiento - Junction | 2µs |
| Tipo de montaje | Through Hole | Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 8 Weeks | Número de pieza del fabricante | JAN1N5618 |
| Descripción ampliada | Diode Standard 600V 1A Through Hole | configuración de diodo | 500nA @ 600V |
| Descripción | DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL | Corriente - Fuga inversa a Vr | 1.3V @ 3A |
| Corriente - rectificada media (Io) (por Diode) | 600V | Capacitancia Vr, F | -65°C ~ 200°C |
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