JAN1N5552US
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| Número de pieza | JAN1N5552US |
|---|---|
| Fabricante | Microsemi Corporation |
| Descripción | DIODE GEN PURP 600V 3A B-MELF |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Contiene plomo / RoHS no conforme |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 100 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $4.934 | |||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | JAN1N5552US | Fabricante | Microsemi Corporation |
|---|---|---|---|
| Descripción | DIODE GEN PURP 600V 3A B-MELF | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Contiene plomo / RoHS no conforme |
| cantidad disponible | 6722 pcs | Ficha de datos | 1N5550US thru 1N5554US |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | Tensión - inversa de pico (máxima) | Standard |
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ | 3A | Tensión - Desglose | D-5B |
| Serie | Military, MIL-PRF-19500/420 | Estado RoHS | Bulk |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | Fast Recovery = 200mA (Io) | Resistencia @ Si, F | - |
| Polarización | SQ-MELF, B | Otros nombres | 1086-19414 1086-19414-MIL |
| Temperatura de funcionamiento - Junction | 2µs | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Tiempo de entrega estándar del fabricante | 8 Weeks |
| Número de pieza del fabricante | JAN1N5552US | Descripción ampliada | Diode Standard 600V 3A Surface Mount D-5B |
| configuración de diodo | 1µA @ 600V | Descripción | DIODE GEN PURP 600V 3A B-MELF |
| Corriente - Fuga inversa a Vr | 1.2V @ 9A | Corriente - rectificada media (Io) (por Diode) | 600V |
| Capacitancia Vr, F | -65°C ~ 175°C |
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