JAN1N5415US
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| Número de pieza | JAN1N5415US |
|---|---|
| Fabricante | Microsemi |
| Descripción | DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Contiene plomo / RoHS no conforme |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 100 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $3.852 | |||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | JAN1N5415US | Fabricante | Microsemi |
|---|---|---|---|
| Descripción | DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Contiene plomo / RoHS no conforme |
| cantidad disponible | 8764 pcs | Ficha de datos | 1N5415 - 20US |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ | 1.5V @ 9A |
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx) | 50V | Velocidad | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Serie | Military, MIL-PRF-19500/411 | Tiempo de recuperación inversa (trr) | 150ns |
| embalaje | Bulk | Paquete / Cubierta | B, Axial |
| Otros nombres | 1086-2085 1086-2085-MIL |
Temperatura de funcionamiento - Junction | -65°C ~ 175°C |
| Tipo de montaje | Through Hole | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 8 Weeks | Estado sin plomo / Estado RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Tipo de diodo | Standard | Descripción detallada | Diode Standard 50V 3A Through Hole |
| Corriente - Fuga inversa a Vr | 1µA @ 50V | Corriente - rectificada media (Io) | 3A |
| Capacitancia Vr, F | - |
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