JAN1N3611
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| Número de pieza | JAN1N3611 |
|---|---|
| Fabricante | Microsemi Corporation |
| Descripción | DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Contiene plomo / RoHS no conforme |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 129 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $2.906 | |||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | JAN1N3611 | Fabricante | Microsemi Corporation |
|---|---|---|---|
| Descripción | DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Contiene plomo / RoHS no conforme |
| cantidad disponible | 10396 pcs | Ficha de datos | 1N36xx,1N3957 |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | Tensión - inversa de pico (máxima) | Standard |
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ | 1A | Serie | Military, MIL-PRF-19500/228 |
| Estado RoHS | Bulk | Tiempo de recuperación inversa (trr) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Resistencia @ Si, F | - | Polarización | A, Axial |
| Otros nombres | 1086-1996 1086-1996-MIL |
Tipo de montaje | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Tiempo de entrega estándar del fabricante | 8 Weeks |
| Número de pieza del fabricante | JAN1N3611 | Descripción ampliada | Diode Standard 200V 1A Through Hole |
| configuración de diodo | 100µA @ 300V | Descripción | DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL |
| Corriente - Fuga inversa a Vr | 1.1V @ 1A | Corriente - rectificada media (Io) (por Diode) | 200V |
| Capacitancia Vr, F | -65°C ~ 175°C |
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