APTMC120AM08CD3AG
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| Número de pieza | APTMC120AM08CD3AG |
|---|---|
| Fabricante | Microsemi |
| Descripción | MOSFET 2N-CH 1200V 250A D3 |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 1 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $459.046 | |||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | APTMC120AM08CD3AG | Fabricante | Microsemi |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET 2N-CH 1200V 250A D3 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 85 pcs | Ficha de datos | APTMC120AM08CD3AG |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 2.2V @ 10mA (Typ) |
| Paquete del dispositivo | D3 | Serie | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 10 mOhm @ 200A, 20V | Potencia - Max | 1100W |
| embalaje | Bulk | Paquete / Cubierta | D-3 Module |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Chassis Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Tiempo de entrega estándar del fabricante | 32 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 9500pF @ 1000V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 490nC @ 20V | Tipo FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Característica de FET | Silicon Carbide (SiC) | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 1200V (1.2kV) |
| Descripción detallada | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 250A (Tc) 1100W Chassis Mount D3 | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 250A (Tc) |
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