APTM10HM19FT3G
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| Número de pieza | APTM10HM19FT3G |
|---|---|
| Fabricante | Microsemi |
| Descripción | MOSFET 4N-CH 100V 70A SP3 |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 100 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $18.983 | |||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | APTM10HM19FT3G | Fabricante | Microsemi |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET 4N-CH 100V 70A SP3 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 1999 pcs | Ficha de datos | Power Products CatalogAPTM10HM19FT3G |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 4V @ 1mA |
| Paquete del dispositivo | SP3 | Serie | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 21 mOhm @ 35A, 10V | Potencia - Max | 208W |
| embalaje | Bulk | Paquete / Cubierta | SP3 |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Chassis Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Tiempo de entrega estándar del fabricante | 32 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 5100pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 200nC @ 10V | Tipo FET | 4 N-Channel (H-Bridge) |
| Característica de FET | Standard | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 100V |
| Descripción detallada | Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 100V 70A 208W Chassis Mount SP3 | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 70A |
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