APTM100A13SCG
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| Número de pieza | APTM100A13SCG |
|---|---|
| Fabricante | Microsemi |
| Descripción | MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6 |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 1 pcs | 10 pcs | 25 pcs | ||
|---|---|---|---|---|---|
| $91.241 | $86.838 | $83.692 | |||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | APTM100A13SCG | Fabricante | Microsemi |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 408 pcs | Ficha de datos | APTM100A13SCG |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 5V @ 6mA |
| Paquete del dispositivo | SP6 | Serie | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 156 mOhm @ 32.5A, 10V | Potencia - Max | 1250W |
| embalaje | Bulk | Paquete / Cubierta | SP6 |
| Otros nombres | APTM100A13SCGMI APTM100A13SCGMI-ND |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Chassis Mount | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 32 Weeks | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 15200pF @ 25V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 562nC @ 10V |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Half Bridge) | Característica de FET | Standard |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 1000V (1kV) | Descripción detallada | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1000V (1kV) 65A 1250W Chassis Mount SP6 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 65A |
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