APTC80A10SCTG
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| Número de pieza | APTC80A10SCTG |
|---|---|
| Fabricante | Microsemi |
| Descripción | MOSFET 2N-CH 800V 42A SP4 |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 100 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $30.026 | |||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | APTC80A10SCTG | Fabricante | Microsemi |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET 2N-CH 800V 42A SP4 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 1118 pcs | Ficha de datos | Power Products CatalogAPTC80A10SCTG |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 3.9V @ 3mA |
| Paquete del dispositivo | SP4 | Serie | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 100 mOhm @ 21A, 10V | Potencia - Max | 416W |
| embalaje | Bulk | Paquete / Cubierta | SP4 |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Chassis Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Tiempo de entrega estándar del fabricante | 32 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 6761pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 273nC @ 10V | Tipo FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Característica de FET | Standard | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 800V |
| Descripción detallada | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 800V 42A 416W Chassis Mount SP4 | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 42A |
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