APT56M50B2
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| Número de pieza | APT56M50B2 |
|---|---|
| Fabricante | Microsemi |
| Descripción | MOSFET N-CH 500V 56A T-MAX |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 60 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $4.234 | |||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | APT56M50B2 | Fabricante | Microsemi |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 500V 56A T-MAX | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 8308 pcs | Ficha de datos | Power Products CatalogAPT56M50(B2,L) |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 5V @ 2.5mA |
| Vgs (Max) | ±30V | Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | T-MAX™ | Serie | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 100 mOhm @ 28A, 10V | La disipación de energía (máximo) | 780W (Tc) |
| embalaje | Tube | Paquete / Cubierta | TO-247-3 Variant |
| Otros nombres | APT56M50B2MI APT56M50B2MI-ND |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 17 Weeks | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 8800pF @ 25V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 220nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 500V |
| Descripción detallada | N-Channel 500V 56A (Tc) 780W (Tc) Through Hole T-MAX™ | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 56A (Tc) |
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