APT4F120K
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| Número de pieza | APT4F120K |
|---|---|
| Fabricante | Microsemi |
| Descripción | MOSFET N-CH 1200V 4A TO-220 |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | Get a quote | ||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | APT4F120K | Fabricante | Microsemi |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 1200V 4A TO-220 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 4567 pcs | Ficha de datos | APT4F120KPower Products Catalog |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 5V @ 500µA |
| Vgs (Max) | ±30V | Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | TO-220 | Serie | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 4.6 Ohm @ 2A, 10V | La disipación de energía (máximo) | 225W (Tc) |
| embalaje | Tube | Paquete / Cubierta | TO-220-3 |
| Otros nombres | APT4F120KMI APT4F120KMI-ND |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1385pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 43nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - | Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 1200V | Descripción detallada | N-Channel 1200V 4A (Tc) 225W (Tc) Through Hole TO-220 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 4A (Tc) |
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