APT20SCD120B
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| Número de pieza | APT20SCD120B |
|---|---|
| Fabricante | Microsemi |
| Descripción | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 68A |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | Get a quote | ||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | APT20SCD120B | Fabricante | Microsemi |
|---|---|---|---|
| Descripción | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 68A | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 5545 pcs | Ficha de datos | APT20SCD120B/S |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ | 1.8V @ 20A |
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx) | 1200V | Paquete del dispositivo | - |
| Velocidad | No Recovery Time > 500mA (Io) | Serie | - |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 0ns | embalaje | - |
| Paquete / Cubierta | - | Temperatura de funcionamiento - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Tipo de montaje | - | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Tipo de diodo | Silicon Carbide Schottky |
| Descripción detallada | Diode Silicon Carbide Schottky 1200V 68A (DC) | Corriente - Fuga inversa a Vr | 400µA @ 1200V |
| Corriente - rectificada media (Io) | 68A (DC) | Capacitancia Vr, F | 1135pF @ 0V, 1MHz |
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