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APT17F120J

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Número de pieza APT17F120J
Fabricante Microsemi
Descripción MOSFET N-CH 1200V 18A SOT-227
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
In Stock 3984 pcs
Precio de referencia
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Número de pieza APT17F120J Fabricante Microsemi
Descripción MOSFET N-CH 1200V 18A SOT-227 Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible 3984 pcs Ficha de datos Power Products CatalogAPT17F120J
Categoría Productos semiconductores discretos VGS (th) (Max) @Id 5V @ 2.5mA
Vgs (Max) ±30V Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo ISOTOP® Serie POWER MOS 8™
RDS (Max) @Id, Vgs 580 mOhm @ 14A, 10V La disipación de energía (máximo) 545W (Tc)
embalaje Tube Paquete / Cubierta SOT-227-4, miniBLOC
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo de montaje Chassis Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited) Tiempo de entrega estándar del fabricante 21 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 9670pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 300nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Característica de FET - Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 1200V Descripción detallada N-Channel 1200V 18A (Tc) 545W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 18A (Tc)

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