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APL602B2G

APL602B2G
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Número de pieza APL602B2G
Fabricante Microsemi
Descripción MOSFET N-CH 600V 49A T-MAX
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
In Stock 1889 pcs
Precio de referencia
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Número de pieza APL602B2G Fabricante Microsemi
Descripción MOSFET N-CH 600V 49A T-MAX Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible 1889 pcs Ficha de datos APL602(B2,L)Power Products Catalog
Categoría Productos semiconductores discretos VGS (th) (Max) @Id 4V @ 2.5mA
Vgs (Max) ±30V Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo T-MAX™ [B2] Serie -
RDS (Max) @Id, Vgs 125 mOhm @ 24.5A, 12V La disipación de energía (máximo) 730W (Tc)
embalaje Tube Paquete / Cubierta TO-247-3 Variant
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo de montaje Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited) Tiempo de entrega estándar del fabricante 23 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 9000pF @ 25V
Tipo FET N-Channel Característica de FET -
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 12V Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 600V
Descripción detallada N-Channel 600V 49A (Tc) 730W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2] Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 49A (Tc)

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