2N6989
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| Número de pieza | 2N6989 |
|---|---|
| Fabricante | Microsemi |
| Descripción | TRANS 4NPN 50V 0.8A TO116 |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Contiene plomo / RoHS no conforme |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 100 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $18.155 | |||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | 2N6989 | Fabricante | Microsemi |
|---|---|---|---|
| Descripción | TRANS 4NPN 50V 0.8A TO116 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Contiene plomo / RoHS no conforme |
| cantidad disponible | 1986 pcs | Ficha de datos | 2N6989(U), 2N6990 |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | Tensión - Colector-emisor (máx) | 50V |
| VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 50mA, 500mA | Tipo de transistor | 4 NPN (Quad) |
| Paquete del dispositivo | TO-116 | Serie | - |
| Potencia - Max | 1.5W | embalaje | Bulk |
| Paquete / Cubierta | 14-DIP (0.300", 7.62mm) | Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant | Frecuencia - Transición | - |
| Descripción detallada | Bipolar (BJT) Transistor Array 4 NPN (Quad) 50V 800mA 1.5W Through Hole TO-116 | DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V |
| Corriente - corte del colector (Max) | 10µA (ICBO) | Corriente - colector (Ic) (Max) | 800mA |
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