2N6788
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| Número de pieza | 2N6788 |
|---|---|
| Fabricante | Microsemi |
| Descripción | MOSFET N-CH 100V TO-205AF |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Contiene plomo / RoHS no conforme |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | Get a quote | ||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | 2N6788 | Fabricante | Microsemi |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 100V TO-205AF | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Contiene plomo / RoHS no conforme |
| cantidad disponible | 5182 pcs | Ficha de datos | 2N6788,2N6790 |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | TO-39 | Serie | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 300 mOhm @ 3.5A, 10V | La disipación de energía (máximo) | 800mW (Tc) |
| embalaje | Bulk | Paquete / Cubierta | TO-205AF Metal Can |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Through Hole |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 18nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - | Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 100V | Descripción detallada | N-Channel 100V 6A (Tc) 800mW (Tc) Through Hole TO-39 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 6A (Tc) |
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