1N6080
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| Número de pieza | 1N6080 |
|---|---|
| Fabricante | Microsemi |
| Descripción | DIODE GEN PURP 100V 2A AXIAL |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Contiene plomo / RoHS no conforme |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 1 pcs | 10 pcs | |||
|---|---|---|---|---|---|
| $16.224 | $15.173 | ||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | 1N6080 | Fabricante | Microsemi |
|---|---|---|---|
| Descripción | DIODE GEN PURP 100V 2A AXIAL | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Contiene plomo / RoHS no conforme |
| cantidad disponible | 2076 pcs | Ficha de datos | 1N6073-81 |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ | 1.5V @ 37.7A |
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx) | 100V | Velocidad | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Serie | - | Tiempo de recuperación inversa (trr) | 30ns |
| embalaje | Bulk | Paquete / Cubierta | A, Axial |
| Temperatura de funcionamiento - Junction | -65°C ~ 155°C | Tipo de montaje | Through Hole |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Tipo de diodo | Standard | Descripción detallada | Diode Standard 100V 2A Through Hole |
| Corriente - Fuga inversa a Vr | 10µA @ 100V | Corriente - rectificada media (Io) | 2A |
| Capacitancia Vr, F | - |
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