1N3600
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| Número de pieza | 1N3600 |
|---|---|
| Fabricante | Microsemi |
| Descripción | DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35 |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Contiene plomo / RoHS no conforme |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 893 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.331 | |||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | 1N3600 | Fabricante | Microsemi |
|---|---|---|---|
| Descripción | DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Contiene plomo / RoHS no conforme |
| cantidad disponible | 71925 pcs | Ficha de datos | 1N3600 |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ | 1V @ 200mA |
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx) | 50V | Paquete del dispositivo | DO-35 |
| Velocidad | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Serie | - |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 4ns | embalaje | Bulk |
| Paquete / Cubierta | DO-204AH, DO-35, Axial | Temperatura de funcionamiento - Junction | -65°C ~ 175°C |
| Tipo de montaje | Through Hole | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 6 Weeks | Estado sin plomo / Estado RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Tipo de diodo | Standard | Descripción detallada | Diode Standard 50V 200mA Through Hole DO-35 |
| Corriente - Fuga inversa a Vr | 100nA @ 50V | Corriente - rectificada media (Io) | 200mA |
| Capacitancia Vr, F | - |
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