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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > M29F800FT55M3E2

M29F800FT55M3E2

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Número de pieza M29F800FT55M3E2
Fabricante Micron Technology
Descripción IC FLASH 8M PARALLEL 44SO
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
In Stock 37344 pcs
Precio de referencia
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$1.06

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Número de pieza M29F800FT55M3E2 Fabricante Micron Technology
Descripción IC FLASH 8M PARALLEL 44SO Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible 37344 pcs Ficha de datos M29F(200,400,800,160)F(T,B)
Categoría Circuitos integrados (ICS) Escribir tiempo de ciclo - Word, Página 55ns
Suministro de voltaje 4.5 V ~ 5.5 V Tecnología FLASH - NOR
Paquete del dispositivo 44-SO Serie -
embalaje Tray Paquete / Cubierta 44-SOIC (0.496", 12.60mm Width)
Otros nombres 557-1581 Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 125°C (TA)
Tipo de montaje Surface Mount Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 3 (168 Hours)
Tipo de memoria Non-Volatile Tamaño de la memoria 8Mb (1M x 8, 512K x 16)
Interfaz de memoria Parallel Formato de memoria FLASH
Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant Descripción detallada FLASH - NOR Memory IC 8Mb (1M x 8, 512K x 16) Parallel 55ns 44-SO
Número de pieza base M29F800 Tiempo de acceso 55ns

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