EDFP112A3PB-GD-F-D
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| Número de pieza | EDFP112A3PB-GD-F-D |
|---|---|
| Fabricante | Micron Technology |
| Descripción | IC DRAM 24G PARALLEL 800MHZ |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | Get a quote | ||||
- Parámetro del producto
Product parameter
| Número de pieza | EDFP112A3PB-GD-F-D | Fabricante | Micron Technology |
|---|---|---|---|
| Descripción | IC DRAM 24G PARALLEL 800MHZ | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 4107 pcs | Ficha de datos | |
| Categoría | Circuitos integrados (ICS) | Escribir tiempo de ciclo - Word, Página | - |
| Suministro de voltaje | 1.14 V ~ 1.95 V | Tecnología | SDRAM - Mobile LPDDR3 |
| Serie | - | Temperatura de funcionamiento | -30°C ~ 85°C (TA) |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 3 (168 Hours) | Tipo de memoria | Volatile |
| Tamaño de la memoria | 24Gb (192M x 128) | Interfaz de memoria | Parallel |
| Formato de memoria | DRAM | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Descripción detallada | SDRAM - Mobile LPDDR3 Memory IC 24Gb (192M x 128) Parallel 800MHz | Frecuencia de reloj | 800MHz |
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