EDB5432BEBH-1DAAT-F-R TR
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| Número de pieza | EDB5432BEBH-1DAAT-F-R TR |
|---|---|
| Fabricante | Micron Technology |
| Descripción | IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 1000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $1.989 | |||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | EDB5432BEBH-1DAAT-F-R TR | Fabricante | Micron Technology |
|---|---|---|---|
| Descripción | IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 18629 pcs | Ficha de datos | EDB5432BE(BH,PA) |
| Categoría | Circuitos integrados (ICS) | Escribir tiempo de ciclo - Word, Página | - |
| Suministro de voltaje | 1.14 V ~ 1.95 V | Tecnología | SDRAM - Mobile LPDDR2 |
| Paquete del dispositivo | 134-VFBGA (10x11.5) | Serie | - |
| embalaje | Tape & Reel (TR) | Paquete / Cubierta | 134-VFBGA |
| Otros nombres | EDB5432BEBH-1DAAT-F-R EDB5432BEBH-1DAAT-F-R TR-ND EDB5432BEBH-1DAAT-F-R-ND EDB5432BEBH-1DAAT-F-RTR |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 105°C (TC) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Tipo de memoria | Volatile | Tamaño de la memoria | 512Mb (16M x 32) |
| Interfaz de memoria | Parallel | Formato de memoria | DRAM |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Descripción detallada | SDRAM - Mobile LPDDR2 Memory IC 512Mb (16M x 32) Parallel 533MHz 134-VFBGA (10x11.5) |
| Frecuencia de reloj | 533MHz |
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