EDB4064B4PB-1DIT-F-R TR
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| Número de pieza | EDB4064B4PB-1DIT-F-R TR |
|---|---|
| Fabricante | Micron Technology |
| Descripción | IC DRAM 4G PARALLEL 216WFBGA |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 1000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $4.843 | |||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | EDB4064B4PB-1DIT-F-R TR | Fabricante | Micron Technology |
|---|---|---|---|
| Descripción | IC DRAM 4G PARALLEL 216WFBGA | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 8112 pcs | Ficha de datos | EDB1316BD, 1332BD, 2432B4, 4064B4 |
| Categoría | Circuitos integrados (ICS) | Escribir tiempo de ciclo - Word, Página | - |
| Suministro de voltaje | 1.14 V ~ 1.95 V | Tecnología | SDRAM - Mobile LPDDR2 |
| Paquete del dispositivo | 216-WFBGA (12x12) | Serie | - |
| embalaje | Tape & Reel (TR) | Paquete / Cubierta | 216-WFBGA |
| Otros nombres | EDB4064B4PB-1DIT-F-R TR-ND EDB4064B4PB-1DIT-F-RTR |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TC) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Tipo de memoria | Volatile | Tamaño de la memoria | 4Gb (64M x 64) |
| Interfaz de memoria | Parallel | Formato de memoria | DRAM |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Descripción detallada | SDRAM - Mobile LPDDR2 Memory IC 4Gb (64M x 64) Parallel 533MHz 216-WFBGA (12x12) |
| Frecuencia de reloj | 533MHz |
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