DS28E15Q+U
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| Número de pieza | DS28E15Q+U |
|---|---|
| Fabricante | Maxim Integrated |
| Descripción | IC EEPROM 512 1WIRE 6TDFN |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | Get a quote | ||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | DS28E15Q+U | Fabricante | Maxim Integrated |
|---|---|---|---|
| Descripción | IC EEPROM 512 1WIRE 6TDFN | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 5691 pcs | Ficha de datos | DS28E15 Abridged DatasheetDeepCover® Solution Guide |
| Categoría | Circuitos integrados (ICS) | Escribir tiempo de ciclo - Word, Página | - |
| Suministro de voltaje | 2.97 V ~ 3.63 V | Tecnología | EEPROM |
| Paquete del dispositivo | 6-TDFN-EP (3x3) | Serie | - |
| embalaje | Tube | Paquete / Cubierta | 6-WDFN Exposed Pad |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Tipo de memoria | Non-Volatile |
| Tamaño de la memoria | 512b (512 x 1) | Interfaz de memoria | 1-Wire® |
| Formato de memoria | EEPROM | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Descripción detallada | EEPROM Memory IC 512b (512 x 1) 1-Wire® 2µs 6-TDFN-EP (3x3) | Número de pieza base | DS28E15 |
| Tiempo de acceso | 2µs |
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