DS1250Y-100
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| Número de pieza | DS1250Y-100 |
|---|---|
| Fabricante | Maxim Integrated |
| Descripción | IC NVSRAM 4M PARALLEL 32EDIP |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Contiene plomo / RoHS no conforme |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | Get a quote | ||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | DS1250Y-100 | Fabricante | Maxim Integrated |
|---|---|---|---|
| Descripción | IC NVSRAM 4M PARALLEL 32EDIP | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Contiene plomo / RoHS no conforme |
| cantidad disponible | 5927 pcs | Ficha de datos | DS1250AB-DS1250Y |
| Categoría | Circuitos integrados (ICS) | Escribir tiempo de ciclo - Word, Página | 100ns |
| Suministro de voltaje | 4.5 V ~ 5.5 V | Tecnología | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
| Paquete del dispositivo | 32-EDIP | Serie | - |
| embalaje | Tube | Paquete / Cubierta | 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) |
| Otros nombres | DS1250Y100 | Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Tipo de montaje | Through Hole | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tipo de memoria | Non-Volatile | Tamaño de la memoria | 4Mb (512K x 8) |
| Interfaz de memoria | Parallel | Formato de memoria | NVSRAM |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant | Descripción detallada | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 4Mb (512K x 8) Parallel 100ns 32-EDIP |
| Número de pieza base | DS1250Y | Tiempo de acceso | 100ns |
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