DS1250AB-70IND
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| Número de pieza | DS1250AB-70IND |
|---|---|
| Fabricante | Maxim Integrated |
| Descripción | IC NVSRAM 4M PARALLEL 32EDIP |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Contiene plomo / RoHS no conforme |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | Get a quote | ||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | DS1250AB-70IND | Fabricante | Maxim Integrated |
|---|---|---|---|
| Descripción | IC NVSRAM 4M PARALLEL 32EDIP | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Contiene plomo / RoHS no conforme |
| cantidad disponible | 5621 pcs | Ficha de datos | DS1250AB-DS1250Y |
| Categoría | Circuitos integrados (ICS) | Escribir tiempo de ciclo - Word, Página | 70ns |
| Suministro de voltaje | 4.75 V ~ 5.25 V | Tecnología | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
| Paquete del dispositivo | 32-EDIP | Serie | - |
| embalaje | Tube | Paquete / Cubierta | 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) | Tipo de montaje | Through Hole |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Tipo de memoria | Non-Volatile |
| Tamaño de la memoria | 4Mb (512K x 8) | Interfaz de memoria | Parallel |
| Formato de memoria | NVSRAM | Estado sin plomo / Estado RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Descripción detallada | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 4Mb (512K x 8) Parallel 70ns 32-EDIP | Número de pieza base | DS1250AB |
| Tiempo de acceso | 70ns |
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