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DS1230Y-85+

DS1230Y-85+
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Número de pieza DS1230Y-85+
Fabricante Maxim Integrated
Descripción IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Contiene plomo / RoHS no conforme
In Stock 4302 pcs
Precio de referencia
(En dólares estadounidenses)		1 pcs10 pcs25 pcs
$10.971$10.421$9.619
50 pcs100 pcs250 pcs
$9.138$8.272$7.858

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Número de pieza DS1230Y-85+ Fabricante Maxim Integrated
Descripción IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP Estado Libre de plomo / Estado RoHS Contiene plomo / RoHS no conforme
cantidad disponible 4302 pcs Ficha de datos DS1230Y, AB
Categoría Circuitos integrados (ICS) Escribir tiempo de ciclo - Word, Página 85ns
Suministro de voltaje 4.5 V ~ 5.5 V Tecnología NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Paquete del dispositivo 28-EDIP Serie -
embalaje Tube Paquete / Cubierta 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Otros nombres DS1230Y85
Q2791524		 Temperatura de funcionamiento 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo de montaje Through Hole Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Tipo de memoria Non-Volatile Tamaño de la memoria 256Kb (32K x 8)
Interfaz de memoria Parallel Formato de memoria NVSRAM
Tiempo de entrega estándar del fabricante 6 Weeks Estado sin plomo / Estado RoHS Contains lead / RoHS non-compliant
Descripción detallada NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 256Kb (32K x 8) Parallel 85ns 28-EDIP Número de pieza base DS1230Y
Tiempo de acceso 85ns

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