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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > DS1230Y-120

DS1230Y-120

DS1230Y-120
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Número de pieza DS1230Y-120
Fabricante Maxim Integrated
Descripción IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Contiene plomo / RoHS no conforme
In Stock 4867 pcs
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Número de pieza DS1230Y-120 Fabricante Maxim Integrated
Descripción IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP Estado Libre de plomo / Estado RoHS Contiene plomo / RoHS no conforme
cantidad disponible 4867 pcs Ficha de datos DS1230Y, AB
Categoría Circuitos integrados (ICS) Escribir tiempo de ciclo - Word, Página 120ns
Suministro de voltaje 4.5 V ~ 5.5 V Tecnología NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Paquete del dispositivo 28-EDIP Serie -
embalaje Tube Paquete / Cubierta 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Otros nombres DS1230Y120 Temperatura de funcionamiento 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo de montaje Through Hole Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Tipo de memoria Non-Volatile Tamaño de la memoria 256Kb (32K x 8)
Interfaz de memoria Parallel Formato de memoria NVSRAM
Estado sin plomo / Estado RoHS Contains lead / RoHS non-compliant Descripción detallada NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 256Kb (32K x 8) Parallel 120ns 28-EDIP
Número de pieza base DS1230Y Tiempo de acceso 120ns

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