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DS1230AB-200IND

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Número de pieza DS1230AB-200IND
Fabricante Maxim Integrated
Descripción IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Contiene plomo / RoHS no conforme
In Stock 4314 pcs
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Número de pieza DS1230AB-200IND Fabricante Maxim Integrated
Descripción IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP Estado Libre de plomo / Estado RoHS Contiene plomo / RoHS no conforme
cantidad disponible 4314 pcs Ficha de datos DS1230Y, AB
Categoría Circuitos integrados (ICS) Escribir tiempo de ciclo - Word, Página 200ns
Suministro de voltaje 4.75 V ~ 5.25 V Tecnología NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Paquete del dispositivo 28-EDIP Serie -
embalaje Tube Paquete / Cubierta 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 85°C (TA) Tipo de montaje Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited) Tipo de memoria Non-Volatile
Tamaño de la memoria 256Kb (32K x 8) Interfaz de memoria Parallel
Formato de memoria NVSRAM Estado sin plomo / Estado RoHS Contains lead / RoHS non-compliant
Descripción detallada NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 256Kb (32K x 8) Parallel 200ns 28-EDIP Número de pieza base DS1230AB
Tiempo de acceso 200ns

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