DS1220Y-200IND+
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| Número de pieza | DS1220Y-200IND+ |
|---|---|
| Fabricante | Maxim Integrated |
| Descripción | IC NVSRAM 16K PARALLEL 24EDIP |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | Get a quote | ||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | DS1220Y-200IND+ | Fabricante | Maxim Integrated |
|---|---|---|---|
| Descripción | IC NVSRAM 16K PARALLEL 24EDIP | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 5900 pcs | Ficha de datos | DS1220Y |
| Categoría | Circuitos integrados (ICS) | Escribir tiempo de ciclo - Word, Página | 200ns |
| Suministro de voltaje | 4.5 V ~ 5.5 V | Tecnología | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
| Paquete del dispositivo | 24-EDIP | Serie | - |
| embalaje | Tube | Paquete / Cubierta | 24-DIP Module (0.600", 15.24mm) |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) | Tipo de montaje | Through Hole |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Tipo de memoria | Non-Volatile |
| Tamaño de la memoria | 16Kb (2K x 8) | Interfaz de memoria | Parallel |
| Formato de memoria | NVSRAM | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Descripción detallada | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 16Kb (2K x 8) Parallel 200ns 24-EDIP | Número de pieza base | DS1220Y |
| Tiempo de acceso | 200ns |
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