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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > DS1220AB-150IND

DS1220AB-150IND

DS1220AB-150IND
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Número de pieza DS1220AB-150IND
Fabricante Maxim Integrated
Descripción IC NVSRAM 16K PARALLEL 24EDIP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Contiene plomo / RoHS no conforme
In Stock 5803 pcs
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Número de pieza DS1220AB-150IND Fabricante Maxim Integrated
Descripción IC NVSRAM 16K PARALLEL 24EDIP Estado Libre de plomo / Estado RoHS Contiene plomo / RoHS no conforme
cantidad disponible 5803 pcs Ficha de datos DS1220AB, AD
Categoría Circuitos integrados (ICS) Escribir tiempo de ciclo - Word, Página 150ns
Suministro de voltaje 4.75 V ~ 5.25 V Tecnología NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Paquete del dispositivo 24-EDIP Serie -
embalaje Tube Paquete / Cubierta 24-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 85°C (TA) Tipo de montaje Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited) Tipo de memoria Non-Volatile
Tamaño de la memoria 16Kb (2K x 8) Interfaz de memoria Parallel
Formato de memoria NVSRAM Estado sin plomo / Estado RoHS Contains lead / RoHS non-compliant
Descripción detallada NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 16Kb (2K x 8) Parallel 150ns 24-EDIP Número de pieza base DS1220A
Tiempo de acceso 150ns

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