TPS1101DG4
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| Número de pieza | TPS1101DG4 |
|---|---|
| Fabricante | N/A |
| Descripción | MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 375 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.697 | |||||
- Parámetro del producto
Product parameter
| Número de pieza | TPS1101DG4 | Fabricante | N/A |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 54337 pcs | Ficha de datos | |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 1.5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | +2V, -15V | Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | 8-SOIC | Serie | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 90 mOhm @ 2.5A, 10V | La disipación de energía (máximo) | 791mW (Ta) |
| embalaje | Tube | Paquete / Cubierta | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Tiempo de entrega estándar del fabricante | 28 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 11.25nC @ 10V |
| Tipo FET | P-Channel | Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 2.7V, 10V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 15V |
| Descripción detallada | P-Channel 15V 2.3A (Ta) 791mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 2.3A (Ta) |
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