CSD25303W1015
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| Número de pieza | CSD25303W1015 |
|---|---|
| Fabricante | N/A |
| Descripción | MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | Get a quote | ||||
- Parámetro del producto
Product parameter
| Número de pieza | CSD25303W1015 | Fabricante | N/A |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 5632 pcs | Ficha de datos | |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 1V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±8V | Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | 6-DSBGA (1x1.5) | Serie | NexFET™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 58 mOhm @ 1.5A, 4.5V | La disipación de energía (máximo) | 1.5W (Ta) |
| embalaje | Original-Reel® | Paquete / Cubierta | 6-UFBGA, DSBGA |
| Otros nombres | 296-28317-6 | Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 435pF @ 10V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 4.3nC @ 4.5V | Tipo FET | P-Channel |
| Característica de FET | - | Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 20V | Descripción detallada | P-Channel 20V 3A (Tc) 1.5W (Ta) Surface Mount 6-DSBGA (1x1.5) |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 3A (Tc) |
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- Parte#:
MTSW-124-08-F-S-340 - Fabricantes:
Samtec, Inc. - Descripción:
MODIFIED .025 SQUARE POST TERMIN - En stock:
53319