CSD13302W
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| Número de pieza | CSD13302W |
|---|---|
| Fabricante | N/A |
| Descripción | MOSFET N-CH 12V 1.6A |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.222 | $0.175 | $0.12 | $0.082 | $0.062 | |
- Parámetro del producto
Product parameter
| Número de pieza | CSD13302W | Fabricante | N/A |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 12V 1.6A | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 305810 pcs | Ficha de datos | |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 1.3V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±10V | Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | 4-DSBGA | Serie | NexFET™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 17.1 mOhm @ 1A, 4.5V | La disipación de energía (máximo) | 1.8W (Ta) |
| embalaje | Cut Tape (CT) | Paquete / Cubierta | 4-UFBGA, DSBGA |
| Otros nombres | 296-48118-1 | Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 35 Weeks | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 862pF @ 6V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 7.8nC @ 4.5V |
| Tipo FET | N-Channel | Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 12V |
| Descripción detallada | N-Channel 12V 1.6A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount 4-DSBGA | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 1.6A (Ta) |
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