SP8M2FU6TB
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| Número de pieza | SP8M2FU6TB |
|---|---|
| Fabricante | LAPIS Semiconductor |
| Descripción | MOSFET N/P-CH 30V 3.5A 8SOIC |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 2500 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.175 | |||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | SP8M2FU6TB | Fabricante | LAPIS Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N/P-CH 30V 3.5A 8SOIC | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 116033 pcs | Ficha de datos | SP8M2 |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 2.5V @ 1mA |
| Paquete del dispositivo | 8-SOP | Serie | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 83 mOhm @ 3.5A, 10V | Potencia - Max | 2W |
| embalaje | Tape & Reel (TR) | Paquete / Cubierta | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 140pF @ 10V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 3.5nC @ 5V |
| Tipo FET | N and P-Channel | Característica de FET | Standard |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 30V | Descripción detallada | Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.5A 2W Surface Mount 8-SOP |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 3.5A | Número de pieza base | *M2 |
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