SP8J1TB
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| Número de pieza | SP8J1TB |
|---|---|
| Fabricante | LAPIS Semiconductor |
| Descripción | MOSFET 2P-CH 30V 5A 8-SOIC |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | Get a quote | ||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | SP8J1TB | Fabricante | LAPIS Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET 2P-CH 30V 5A 8-SOIC | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 4786 pcs | Ficha de datos | SP8J1 |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 2.5V @ 1mA |
| Paquete del dispositivo | 8-SOP | Serie | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 42 mOhm @ 5A, 10V | Potencia - Max | 2W |
| embalaje | Tape & Reel (TR) | Paquete / Cubierta | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Otros nombres | SP8J1TB-ND SP8J1TBTR |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1400pF @ 10V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 16nC @ 5V | Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
| Característica de FET | Logic Level Gate | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 30V |
| Descripción detallada | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 5A 2W Surface Mount 8-SOP | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 5A |
| Número de pieza base | *J1 |
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