SCT3040KLGC11
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| Número de pieza | SCT3040KLGC11 |
|---|---|
| Fabricante | LAPIS Semiconductor |
| Descripción | MOSFET NCH 1.2KV 55A TO247N |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 1 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $11.933 | |||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | SCT3040KLGC11 | Fabricante | LAPIS Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET NCH 1.2KV 55A TO247N | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 2984 pcs | Ficha de datos | TO-247N Taping SpecSCT3040KL |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 5.6V @ 10mA |
| Vgs (Max) | +22V, -4V | Tecnología | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Paquete del dispositivo | TO-247N | Serie | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 52 mOhm @ 20A, 18V | La disipación de energía (máximo) | 262W (Tc) |
| embalaje | Tube | Paquete / Cubierta | TO-247-3 |
| Temperatura de funcionamiento | 175°C (TJ) | Tipo de montaje | Through Hole |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1337pF @ 800V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 107nC @ 18V |
| Tipo FET | N-Channel | Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 18V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 1200V |
| Descripción detallada | N-Channel 1200V 55A (Tc) 262W (Tc) Through Hole TO-247N | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 55A (Tc) |
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