SCS312AHGC9
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| Número de pieza | SCS312AHGC9 |
|---|---|
| Fabricante | LAPIS Semiconductor |
| Descripción | SHORTER RECOVERY TIME, ENABLING |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 1 pcs | 10 pcs | 25 pcs | 100 pcs | |
|---|---|---|---|---|---|
| $2.652 | $2.368 | $2.131 | $1.942 | ||
| 250 pcs | 500 pcs | 1000 pcs | |||
| $1.752 | $1.572 | $1.326 | |||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | SCS312AHGC9 | Fabricante | LAPIS Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descripción | SHORTER RECOVERY TIME, ENABLING | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | |
| cantidad disponible | 24293 pcs | Ficha de datos | SCS312AHG |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | Voltaje - Inverso (Vr) (máx) | 650V |
| Paquete del dispositivo | TO-220ACP | Velocidad | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Serie | - | Tiempo de recuperación inversa (trr) | 0ns |
| Paquete / Cubierta | TO-220-2 | Temperatura de funcionamiento - Junction | 175°C (Max) |
| Tipo de montaje | Through Hole | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 23 Weeks | Estado sin plomo | Lead free |
| Tipo de diodo | Silicon Carbide Schottky | Descripción detallada | Diode Silicon Carbide Schottky 650V 12A (DC) Through Hole TO-220ACP |
| Corriente - Fuga inversa a Vr | 60µA @ 650V | Corriente - rectificada media (Io) | 12A (DC) |
| Capacitancia Vr, F | 600pF @ 1V, 1MHz |
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