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RYM002N05T2CL

RYM002N05T2CL
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Número de pieza RYM002N05T2CL
Fabricante LAPIS Semiconductor
Descripción MOSFET N-CH 50V 0.2A VMT3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
In Stock 136509 pcs
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Número de pieza RYM002N05T2CL Fabricante LAPIS Semiconductor
Descripción MOSFET N-CH 50V 0.2A VMT3 Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible 136509 pcs Ficha de datos P/N Explanation for TransistorsVMT3 T2L Taping SpecRYM002N05Product Catalog TransistorsPackaging Info for Transistors
Categoría Productos semiconductores discretos VGS (th) (Max) @Id 800mV @ 1mA
Vgs (Max) ±8V Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo VMT3 Serie -
RDS (Max) @Id, Vgs 2.2 Ohm @ 200mA, 4.5V La disipación de energía (máximo) 150mW (Ta)
embalaje Cut Tape (CT) Paquete / Cubierta SOT-723
Otros nombres RYM002N05T2CLCT Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante 10 Weeks Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 26pF @ 10V Tipo FET N-Channel
Característica de FET - Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 0.9V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 50V Descripción detallada N-Channel 50V 200mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount VMT3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 200mA (Ta)

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