RUM003N02T2L
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| Número de pieza | RUM003N02T2L |
|---|---|
| Fabricante | LAPIS Semiconductor |
| Descripción | MOSFET N-CH 20V 300MA VMT3 |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 8000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.04 | |||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | RUM003N02T2L | Fabricante | LAPIS Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 20V 300MA VMT3 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 607311 pcs | Ficha de datos | RUM003N02 |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 1V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±8V | Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | VMT3 | Serie | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 1 Ohm @ 300mA, 4V | La disipación de energía (máximo) | 150mW (Ta) |
| embalaje | Tape & Reel (TR) | Paquete / Cubierta | SOT-723 |
| Otros nombres | RUM003N02T2LTR | Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 25pF @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 20V |
| Descripción detallada | N-Channel 20V 300mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount VMT3 | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 300mA (Ta) |
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