RT1E050RPTR
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| Número de pieza | RT1E050RPTR |
|---|---|
| Fabricante | LAPIS Semiconductor |
| Descripción | MOSFET P-CH 30V 5A TSST8 |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.237 | $0.186 | $0.128 | $0.088 | $0.066 | |
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | RT1E050RPTR | Fabricante | LAPIS Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET P-CH 30V 5A TSST8 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 303924 pcs | Ficha de datos | TSMT8 TR Taping SpecRT1E050RP |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 2.5V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | 8-TSST | Serie | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 36 mOhm @ 5A, 10V | La disipación de energía (máximo) | 1.25W (Ta) |
| embalaje | Original-Reel® | Paquete / Cubierta | 8-SMD, Flat Lead |
| Otros nombres | RT1E050RPDKR RT1E050RPTRDKR RT1E050RPTRDKR-ND |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 10 Weeks | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1300pF @ 10V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 13nC @ 5V |
| Tipo FET | P-Channel | Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 30V |
| Descripción detallada | P-Channel 30V 5A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount 8-TSST | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 5A (Ta) |
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