RSS080N05FU6TB
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| Número de pieza | RSS080N05FU6TB |
|---|---|
| Fabricante | LAPIS Semiconductor |
| Descripción | MOSFET N-CH 60V 8A 8-SOIC |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | Get a quote | ||||
- Parámetro del producto
Product parameter
| Número de pieza | RSS080N05FU6TB | Fabricante | LAPIS Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 60V 8A 8-SOIC | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 4178 pcs | Ficha de datos | |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | - |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | 8-SOP |
| Serie | - | RDS (Max) @Id, Vgs | - |
| La disipación de energía (máximo) | - | embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Temperatura de funcionamiento | - |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 60V |
| Descripción detallada | N-Channel 60V 8A (Ta) Surface Mount 8-SOP | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 8A (Ta) |
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