RSJ10HN06TL
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| Número de pieza | RSJ10HN06TL |
|---|---|
| Fabricante | LAPIS Semiconductor |
| Descripción | MOSFET N-CH 60V 100A LPTS |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 1000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $1.298 | |||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | RSJ10HN06TL | Fabricante | LAPIS Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 60V 100A LPTS | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 25175 pcs | Ficha de datos | RSJ10HN06 ~ |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 2.5V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | LPTS | Serie | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 4.2 mOhm @ 50A, 10V | La disipación de energía (máximo) | 100W (Tc) |
| embalaje | Tape & Reel (TR) | Paquete / Cubierta | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Otros nombres | RSJ10HN06TLTR | Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 11000pF @ 10V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 202nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - | Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 60V | Descripción detallada | N-Channel 60V 100A (Ta) 100W (Tc) Surface Mount LPTS |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Ta) |
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