RSD221N06TL
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| Número de pieza | RSD221N06TL |
|---|---|
| Fabricante | LAPIS Semiconductor |
| Descripción | MOSFET N-CH 60V 22A CPT3 |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 2500 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.221 | |||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | RSD221N06TL | Fabricante | LAPIS Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 60V 22A CPT3 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 96504 pcs | Ficha de datos | RSD221N06 |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 3V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | CPT3 | Serie | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 26 mOhm @ 22A, 10V | La disipación de energía (máximo) | 850mW (Ta), 20W (Tc) |
| embalaje | Tape & Reel (TR) | Paquete / Cubierta | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1500pF @ 10V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 30nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 60V |
| Descripción detallada | N-Channel 60V 22A (Tc) 850mW (Ta), 20W (Tc) Surface Mount CPT3 | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 22A (Tc) |
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