RRQ020P03TCR
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| Número de pieza | RRQ020P03TCR |
|---|---|
| Fabricante | LAPIS Semiconductor |
| Descripción | MOSFET P-CH 30V 2A TSMT6 |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 3000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.053 | |||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | RRQ020P03TCR | Fabricante | LAPIS Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET P-CH 30V 2A TSMT6 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 423683 pcs | Ficha de datos | TSMT6 TR Taping SpecRRQ020P03 |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 2.5V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | TSMT6 (SC-95) | Serie | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 160 mOhm @ 2A, 10V | La disipación de energía (máximo) | 1.25W (Ta) |
| embalaje | Tape & Reel (TR) | Paquete / Cubierta | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 230pF @ 10V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 3.2nC @ 5V |
| Tipo FET | P-Channel | Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 30V |
| Descripción detallada | P-Channel 30V 2A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount TSMT6 (SC-95) | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 2A (Ta) |
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