RLS4150TE-11
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| Número de pieza | RLS4150TE-11 |
|---|---|
| Fabricante | LAPIS Semiconductor |
| Descripción | DIODE GEN PURP 50V 200MA LLDS |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | Get a quote | ||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | RLS4150TE-11 | Fabricante | LAPIS Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descripción | DIODE GEN PURP 50V 200MA LLDS | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 5452 pcs | Ficha de datos | RLS4148/4150/4448 |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ | 1V @ 200mA |
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx) | 50V | Paquete del dispositivo | LLDS |
| Velocidad | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Serie | - |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 4ns | embalaje | Cut Tape (CT) |
| Paquete / Cubierta | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 | Otros nombres | RLS4150TE-11CT |
| Temperatura de funcionamiento - Junction | -65°C ~ 200°C | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo de diodo | Standard | Descripción detallada | Diode Standard 50V 200mA Surface Mount LLDS |
| Corriente - Fuga inversa a Vr | 100nA @ 50V | Corriente - rectificada media (Io) | 200mA |
| Capacitancia Vr, F | 2.5pF @ 0V, 1MHz | Número de pieza base | RLS4150 |
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