RF4E100AJTCR
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| Número de pieza | RF4E100AJTCR |
|---|---|
| Fabricante | LAPIS Semiconductor |
| Descripción | MOSFET N-CH 30V 10A HUML2020L8 |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.366 | $0.32 | $0.247 | $0.183 | $0.146 | |
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | RF4E100AJTCR | Fabricante | LAPIS Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 30V 10A HUML2020L8 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 145075 pcs | Ficha de datos | HUML2020L8 TR Taping SpecRF4E100AJ |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 1.5V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±12V | Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | HUML2020L8 | Serie | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 12.4 mOhm @ 10A, 4.5V | La disipación de energía (máximo) | 2W (Tc) |
| embalaje | Cut Tape (CT) | Paquete / Cubierta | 8-PowerUDFN |
| Otros nombres | RF4E100AJTCRCT | Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 10 Weeks | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1460pF @ 15V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 13nC @ 4.5V |
| Tipo FET | N-Channel | Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 30V |
| Descripción detallada | N-Channel 30V 10A (Ta) 2W (Tc) Surface Mount HUML2020L8 | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 10A (Ta) |
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