RDD023N50TL
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| Número de pieza | RDD023N50TL |
|---|---|
| Fabricante | LAPIS Semiconductor |
| Descripción | MOSFET N-CH 500V 2A CPT3 |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 2500 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.115 | |||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | RDD023N50TL | Fabricante | LAPIS Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 500V 2A CPT3 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 196649 pcs | Ficha de datos | RDD023N50 |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 2V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | CPT3 | Serie | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 5.4 Ohm @ 1A, 10V | La disipación de energía (máximo) | 20W (Tc) |
| embalaje | Tape & Reel (TR) | Paquete / Cubierta | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Otros nombres | RDD023N50TLTR | Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 151pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 11nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - | Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 500V | Descripción detallada | N-Channel 500V 2A (Tc) 20W (Tc) Surface Mount CPT3 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 2A (Tc) |
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