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RBR2LAM60ATR

RBR2LAM60ATR
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Número de pieza RBR2LAM60ATR
Fabricante LAPIS Semiconductor
Descripción DIODE SCHOTTKY 60V 2A PMDTM
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
In Stock 354015 pcs
Precio de referencia
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Número de pieza RBR2LAM60ATR Fabricante LAPIS Semiconductor
Descripción DIODE SCHOTTKY 60V 2A PMDTM Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible 354015 pcs Ficha de datos PMDTM TR Taping SpecRBR2LAM60ATR
Categoría Productos semiconductores discretos Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ 650mV @ 2A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx) 60V Paquete del dispositivo PMDTM
Velocidad Fast Recovery = 200mA (Io) Serie -
embalaje Cut Tape (CT) Paquete / Cubierta SOD-128
Otros nombres RBR2LAM60ACT Temperatura de funcionamiento - Junction 150°C (Max)
Tipo de montaje Surface Mount Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante 20 Weeks Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant
Tipo de diodo Schottky Descripción detallada Diode Schottky 60V 2A Surface Mount PMDTM
Corriente - Fuga inversa a Vr 75µA @ 60V Corriente - rectificada media (Io) 2A
Capacitancia Vr, F -

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