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RB068M-60TR

RB068M-60TR
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Número de pieza RB068M-60TR
Fabricante LAPIS Semiconductor
Descripción DIODE SCHOTTKY 60V 2A PMDU
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
In Stock 136333 pcs
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Número de pieza RB068M-60TR Fabricante LAPIS Semiconductor
Descripción DIODE SCHOTTKY 60V 2A PMDU Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible 136333 pcs Ficha de datos RB068M-60
Categoría Productos semiconductores discretos Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ 765mV @ 2A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx) 60V Paquete del dispositivo PMDU
Velocidad Fast Recovery = 200mA (Io) Serie -
embalaje Cut Tape (CT) Paquete / Cubierta SOD-123F
Otros nombres RB068M-60CT Temperatura de funcionamiento - Junction 150°C (Max)
Tipo de montaje Surface Mount Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant Tipo de diodo Schottky
Descripción detallada Diode Schottky 60V 2A Surface Mount PMDU Corriente - Fuga inversa a Vr 1.5µA @ 60V
Corriente - rectificada media (Io) 2A Capacitancia Vr, F -

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